| Artikelnummer | IRL6372PBF |
|---|---|
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.1A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 25V |
| Leistung max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL60B216 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A | Einzelheiten |
 |
IRL60HS118 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN | Einzelheiten |
 |
IRL60S216 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A | Einzelheiten |
 |
IRL60SL216 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A | Einzelheiten |
 |
IRL610A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220 | Einzelheiten |
 |
IRL620 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB | Einzelheiten |
|
IRL620PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB | Einzelheiten |
|
IRL620S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | Einzelheiten |
|
IRL620SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | Einzelheiten |
|
IRL620STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | Einzelheiten |
