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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IRG8CH106K10F
IRG8CH106K10F

IRG8CH106K10F - Infineon Technologies

Artikelnummer
IRG8CH106K10F
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 110A DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IRG8CH106K10F PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IRG8CH106K10F.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4120 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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IRG8CH106K10F detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IRG8CH106K10F
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Strom - Kollektorimpuls (Icm) -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 110A
Leistung max -
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 700nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 80ns/380ns
Testbedingung 600V, 110A, 1 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall Die
Lieferantengerätepaket Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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