IRFP4110PBF - Infineon Technologies

Artikelnummer	IRFP4110PBF
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	210nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9620pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	370W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 75A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247AC
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IRFP044	IR	IRFP044 IR TO-247 New Original Stocks	Einzelheiten
IRFP044N	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC	Einzelheiten
IRFP044NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC	Einzelheiten
IRFP044PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 57A TO-247AC	Einzelheiten
IRFP048	IR	IRFP048 IR TO-247 New Original Stocks	Einzelheiten
IRFP048N	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC	Einzelheiten
IRFP048NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC	Einzelheiten
IRFP048PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC	Einzelheiten
IRFP048R	VISHAY	Power MOSFET	Einzelheiten
IRFP048RPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC	Einzelheiten