| Artikelnummer | IRFIB41N15DPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 150V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2520pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 48W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 25A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB Full-Pak |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFIB41N15D | IR | IRFIB41N15D IR TO-220.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
IRFIB41N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP | Einzelheiten |
|
IRFIB5N50L | VISHAY | Power MOSFET | Einzelheiten |
|
IRFIB5N50LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 4.7A TO220FP | Einzelheiten |
|
IRFIB5N65A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP | Einzelheiten |
|
IRFIB5N65APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP | Einzelheiten |
|
IRFIB6N60A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP | Einzelheiten |
|
IRFIB6N60APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP | Einzelheiten |
|
IRFIB7N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP | Einzelheiten |
|
IRFIB7N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP | Einzelheiten |
