| Artikelnummer | IRF8910TRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 10V |
| Leistung max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF8010 | IR | IRF8010 IR TO-220 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
IRF8010L | IR | IRF8010L IR TO-262 New Original Stocks | Einzelheiten |
 |
IRF8010PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB | Einzelheiten |
 |
IRF8010SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | Einzelheiten |
|
IRF8010STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | Einzelheiten |
|
IRF8010STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | Einzelheiten |
|
IRF807D1 | IR | IRF807D1 IR SOP-8 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
IRF807VD1 | IOR | IRF807VD1 IOR SOP8 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
IRF8113 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | Einzelheiten |
|
IRF8113GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO | Einzelheiten |
