| Artikelnummer | IRF7702GTRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3470pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 8A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IRF7700 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP | Einzelheiten |
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IRF7700GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP | Einzelheiten |
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IRF7700TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP | Einzelheiten |
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IRF7700TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP | Einzelheiten |
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IRF7701 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | Einzelheiten |
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IRF7701GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | Einzelheiten |
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IRF7701TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | Einzelheiten |
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IRF7701TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | Einzelheiten |
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IRF7702 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP | Einzelheiten |
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IRF7702GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP | Einzelheiten |
