IRF3007STRLPBF - Infineon Technologies

Artikelnummer	IRF3007STRLPBF
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	75V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	62A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3270pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	120W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	12.6 mOhm @ 48A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D2PAK
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IRF300	EXSHINE	50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED	Einzelheiten
IRF3000	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC	Einzelheiten
IRF3000PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC	Einzelheiten
IRF3000TRPBF	IR	IRF3000TRPBF IR SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
IRF3007	IR	IRF3007 IR TO-220 New Original Stocks	Einzelheiten
IRF3007L	IR	IRF3007L IR TO-262 New Original Stocks	Einzelheiten
IRF3007PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB	Einzelheiten
IRF3007S	IR	IRF3007S IR D2-PAK New Original Stocks	Einzelheiten
IRF3007SPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK	Einzelheiten
IRF3007STRLPBF	Infineon Technologies	MOSFET N CH 75V 62A D2PAK	Einzelheiten