| Artikelnummer | IRF2804LPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6450pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-262 |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF200 | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | Einzelheiten |
|
IRF2001 | IR | IRF2001 IR SMD-8 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
IRF2002 | IR | IRF2002 IR SMD-8 New Original Stocks | Einzelheiten |
 |
IRF200B211 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB | Einzelheiten |
 |
IRF200P222 | Infineon Technologies | MOSFET IFX OPTIMOS TO247 | Einzelheiten |
|
IRF200P223 | Infineon Technologies | MOSFET IFX OPTIMOS TO247 | Einzelheiten |
|
IRF200S100RJ | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | Einzelheiten |
|
IRF200S234 | Infineon Technologies | TRENCH_MOSFETS | Einzelheiten |
|
IRF2101S | IR | IRF2101S IR SOP8 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
IRF2103S | IR | IRF2103S IR SOP New Original Stocks | Einzelheiten |
