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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IRF100B201
IRF100B201

IRF100B201 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IRF100B201
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IRF100B201 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IRF100B201.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4140 pcs
Referenzpreis
USD 2.8/pcs
Unser Preis
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IRF100B201 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IRF100B201
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 192A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 255nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9500pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 441W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 115A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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