| Artikelnummer | IPW90R1K2C3FKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 900V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.1A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 310µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 83W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
IPW90R120C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 | Einzelheiten |
|
IPW90R120C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 | Einzelheiten |
|
IPW90R1K0C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247 | Einzelheiten |
|
IPW90R1K2C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247 | Einzelheiten |
|
IPW90R1K2C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247 | Einzelheiten |
|
IPW90R340C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A TO-247 | Einzelheiten |
|
IPW90R340C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A TO-247 | Einzelheiten |
|
IPW90R500C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 11A TO-247 | Einzelheiten |
|
IPW90R500C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 11A TO-247 | Einzelheiten |
|
IPW90R800C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247 | Einzelheiten |
