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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPU60R1K4C6BKMA1
IPU60R1K4C6BKMA1

IPU60R1K4C6BKMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPU60R1K4C6BKMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET NCH 600V 3.2A TO251
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPU60R1K4C6BKMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IPU60R1K4C6BKMA1.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4342 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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IPU60R1K4C6BKMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPU60R1K4C6BKMA1
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft Super Junction
Verlustleistung (Max) 28.4W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO251
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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