| Artikelnummer | IPU60R1K4C6BKMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | Super Junction |
| Verlustleistung (Max) | 28.4W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO251 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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