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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPU04N03LA G
IPU04N03LA G

IPU04N03LA G - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPU04N03LA G
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPU04N03LA G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IPU04N03LA G.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3819 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IPU04N03LA G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPU04N03LA G
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 80µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5199pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 115W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO251-3
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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