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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPP65R125C7XKSA1
IPP65R125C7XKSA1

IPP65R125C7XKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPP65R125C7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPP65R125C7XKSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IPP65R125C7XKSA1.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1285 pcs
Referenzpreis
USD 5.03/pcs
Unser Preis
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IPP65R125C7XKSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPP65R125C7XKSA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 440µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 400V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 101W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 8.9A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO-220-3
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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