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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPP60R190E6XKSA1
IPP60R190E6XKSA1

IPP60R190E6XKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPP60R190E6XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPP60R190E6XKSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
78117 pcs
Referenzpreis
USD 2.10772/pcs
Unser Preis
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IPP60R190E6XKSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPP60R190E6XKSA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 630µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 100V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 151W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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