IPN50R650CEATMA1

IPN50R650CEATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPN50R650CEATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CONSUMER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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IPN50R650CEATMA1.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
106682 pcs
Referenzpreis
USD 0.2544/pcs
Unser Preis
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IPN50R650CEATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPN50R650CEATMA1
Teilstatus Active
FET Typ -
Technologie -
Drain auf Source-Spannung (Vdss) -
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C -
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Fall -
Gewicht -
Ursprungsland -

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