IPL65R130C7AUMA1

IPL65R130C7AUMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPL65R130C7AUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPL65R130C7AUMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IPL65R130C7AUMA1.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
9993 pcs
Referenzpreis
USD 2.6088/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern IPL65R130C7AUMA1

IPL65R130C7AUMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPL65R130C7AUMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 440µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 400V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 102W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 4.4A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-VSON-4
Paket / Fall 4-PowerTSFN
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR IPL65R130C7AUMA1