IPI075N15N3GHKSA1

IPI075N15N3GHKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPI075N15N3GHKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3851 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IPI075N15N3GHKSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPI075N15N3GHKSA1
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 150V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5470pF @ 75V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 300W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 100A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO262-3
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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