| Artikelnummer | IPD90N03S4L02ATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 90µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9750pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 136W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
IPD90N03S4L-02 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | Einzelheiten |
|
IPD90N03S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | Einzelheiten |
|
IPD90N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | Einzelheiten |
|
IPD90N04S304ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | Einzelheiten |
|
IPD90N04S3H4ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | Einzelheiten |
 |
IPD90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | Einzelheiten |
|
IPD90N04S403ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | Einzelheiten |
|
IPD90N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | Einzelheiten |
|
IPD90N04S405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313 | Einzelheiten |
|
IPD90N04S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | Einzelheiten |
