IPD600N25N3GATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	IPD600N25N3GATMA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 90µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2350pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	136W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 25A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TO252-3
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	IPD600N25N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 25A	Einzelheiten
	IPD600N25N3GBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3	Einzelheiten