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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPC302N20N3X1SA1
IPC302N20N3X1SA1

IPC302N20N3X1SA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPC302N20N3X1SA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPC302N20N3X1SA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IPC302N20N3X1SA1.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7906 pcs
Referenzpreis
USD 3.3272/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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IPC302N20N3X1SA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPC302N20N3X1SA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1A (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 260µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Sawn on foil
Paket / Fall Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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