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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPC100N04S5L2R6ATMA1
IPC100N04S5L2R6ATMA1

IPC100N04S5L2R6ATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPC100N04S5L2R6ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPC100N04S5L2R6ATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IPC100N04S5L2R6ATMA1.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
62263 pcs
Referenzpreis
USD 0.4287/pcs
Unser Preis
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IPC100N04S5L2R6ATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPC100N04S5L2R6ATMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 30µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2925pF @ 25V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 75W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-34
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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