IPB200N25N3GATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	IPB200N25N3GATMA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7100pF @ 100V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IPB200N15N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3	Einzelheiten
IPB200N15N3G	Infineon	IPB200N15N3G Infineon N/A New Original Stocks	Einzelheiten
IPB200N15N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3	Einzelheiten
IPB200N25N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3	Einzelheiten
IPB200N25N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3	Einzelheiten