IPB144N12N3GATMA1

IPB144N12N3GATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPB144N12N3GATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPB144N12N3GATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
189547 pcs
Referenzpreis
USD 0.86864/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern IPB144N12N3GATMA1

IPB144N12N3GATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPB144N12N3GATMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 120V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 56A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 14.4 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 61µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3220pF @ 60V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 107W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR IPB144N12N3GATMA1