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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IKW75N65EL5XKSA1
IKW75N65EL5XKSA1

IKW75N65EL5XKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IKW75N65EL5XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IKW75N65EL5XKSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IKW75N65EL5XKSA1.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3905 pcs
Referenzpreis
USD 8.28/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern IKW75N65EL5XKSA1

IKW75N65EL5XKSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IKW75N65EL5XKSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 300A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.35V @ 15V, 75A
Leistung max 536W
Energie wechseln 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 436nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 40ns/275ns
Testbedingung 400V, 75A, 4 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 114ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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