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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IKW50N65EH5XKSA1
IKW50N65EH5XKSA1

IKW50N65EH5XKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IKW50N65EH5XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IKW50N65EH5XKSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IKW50N65EH5XKSA1.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
395 pcs
Referenzpreis
USD 5.1/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern IKW50N65EH5XKSA1

IKW50N65EH5XKSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IKW50N65EH5XKSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 200A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Leistung max 275W
Energie wechseln 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 25ns/172ns
Testbedingung 400V, 50A, 12 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 81ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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