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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IKD15N60RFAATMA1
IKD15N60RFAATMA1

IKD15N60RFAATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IKD15N60RFAATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IKD15N60RFAATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IKD15N60RFAATMA1.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
23526 pcs
Referenzpreis
USD 1.1146/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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IKD15N60RFAATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IKD15N60RFAATMA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 30A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 45A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A
Leistung max 240W
Energie wechseln 270µJ (on), 250µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 90nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 13ns/160ns
Testbedingung 400V, 15A, 15 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 74ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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