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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IKD06N60RATMA1
IKD06N60RATMA1

IKD06N60RATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IKD06N60RATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 12A 100W TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IKD06N60RATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IKD06N60RATMA1.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
44798 pcs
Referenzpreis
USD 0.5801/pcs
Unser Preis
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IKD06N60RATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IKD06N60RATMA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 12A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 18A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6A
Leistung max 100W
Energie wechseln 110µJ (on), 220µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 48nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 12ns/127ns
Testbedingung 400V, 6A, 23 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 68ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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