IKB15N65EH5ATMA1

IKB15N65EH5ATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IKB15N65EH5ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
INDUSTRY 14
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
109787 pcs
Referenzpreis
USD 1.49969/pcs
Unser Preis
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IKB15N65EH5ATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IKB15N65EH5ATMA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 30A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 45A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
Leistung max 105W
Energie wechseln 400µJ (on), 80µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 38nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 16ns/145ns
Testbedingung 400V, 15A, 39 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 70ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Gewicht -
Ursprungsland -

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