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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IHW40N65R5XKSA1
IHW40N65R5XKSA1

IHW40N65R5XKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IHW40N65R5XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 80A 230W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IHW40N65R5XKSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
242 pcs
Referenzpreis
USD 3.8/pcs
Unser Preis
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IHW40N65R5XKSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IHW40N65R5XKSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 40A
Leistung max 230W
Energie wechseln 630µJ (on), 140µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 193nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 30ns/258ns
Testbedingung 400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 90ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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