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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IHW30N65R5XKSA1
IHW30N65R5XKSA1

IHW30N65R5XKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IHW30N65R5XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 650V TO247-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IHW30N65R5XKSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IHW30N65R5XKSA1.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
600 pcs
Referenzpreis
USD 3.3/pcs
Unser Preis
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IHW30N65R5XKSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IHW30N65R5XKSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 60A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 90A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A
Leistung max 176W
Energie wechseln 850µJ (on), 240µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 153nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 29ns/220ns
Testbedingung 400V, 30A, 13 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 95ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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