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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IGB50N60TATMA1
IGB50N60TATMA1

IGB50N60TATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IGB50N60TATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 100A 333W TO263-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IGB50N60TATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
59047 pcs
Referenzpreis
USD 2.78844/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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IGB50N60TATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IGB50N60TATMA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 150A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
Leistung max 333W
Energie wechseln 2.6mJ
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 310nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 26ns/299ns
Testbedingung 400V, 50A, 7 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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