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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IGB20N60H3ATMA1
IGB20N60H3ATMA1

IGB20N60H3ATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IGB20N60H3ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 40A 170W TO263-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IGB20N60H3ATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
136492 pcs
Referenzpreis
USD 1.20628/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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IGB20N60H3ATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IGB20N60H3ATMA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 40A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 80A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A
Leistung max 170W
Energie wechseln 690µJ
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 16ns/194ns
Testbedingung 400V, 20A, 14.6 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Gewicht -
Ursprungsland -

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