IAUT240N08S5N019ATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	IAUT240N08S5N019ATMA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	240A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 160µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9264pF @ 40V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	230W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-HSOF-8-1
Paket / Fall	8-PowerSFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-