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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FZ1200R17HE4HOSA2
FZ1200R17HE4HOSA2

FZ1200R17HE4HOSA2 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FZ1200R17HE4HOSA2
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MODULE IGBT IHMB130-2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FZ1200R17HE4HOSA2 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
250 pcs
Referenzpreis
USD 655.685/pcs
Unser Preis
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FZ1200R17HE4HOSA2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FZ1200R17HE4HOSA2
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Single Switch
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1200A
Leistung max 7800W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 1200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 97nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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