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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FS35R12U1T4BPSA1
FS35R12U1T4BPSA1

FS35R12U1T4BPSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FS35R12U1T4BPSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOD IGBT LOW PWR SMART1-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FS35R12U1T4BPSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
302 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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FS35R12U1T4BPSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FS35R12U1T4BPSA1
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 70A
Leistung max 250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 35A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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