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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FS100R12KE3BOSA1
FS100R12KE3BOSA1

FS100R12KE3BOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FS100R12KE3BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 100A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FS100R12KE3BOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1062 pcs
Referenzpreis
USD 154.69/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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FS100R12KE3BOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FS100R12KE3BOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 140A
Leistung max 480W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.1nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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