FP75R07N2E4BOSA1

FP75R07N2E4BOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FP75R07N2E4BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 600V 75A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1937 pcs
Referenzpreis
USD 84.908/pcs
Unser Preis
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FP75R07N2E4BOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FP75R07N2E4BOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 95A
Leistung max -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.6nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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