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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FP10R12W1T7B11BOMA1
FP10R12W1T7B11BOMA1

FP10R12W1T7B11BOMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FP10R12W1T7B11BOMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
LOW POWER EASY
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FP10R12W1T7B11BOMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4342 pcs
Referenzpreis
USD 37.9/pcs
Unser Preis
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FP10R12W1T7B11BOMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FP10R12W1T7B11BOMA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) -
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Leistung max -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic -
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang -
NTC-Thermistor -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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