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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FF900R12IE4PBOSA1
FF900R12IE4PBOSA1

FF900R12IE4PBOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FF900R12IE4PBOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MODULE IGBT PRIME2-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FF900R12IE4PBOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
307 pcs
Referenzpreis
USD 531.77/pcs
Unser Preis
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FF900R12IE4PBOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FF900R12IE4PBOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 900A
Leistung max 20mW
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 900A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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