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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FD600R06ME3S2BOSA1
FD600R06ME3S2BOSA1

FD600R06ME3S2BOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FD600R06ME3S2BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 600V 600A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FD600R06ME3S2BOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1057 pcs
Referenzpreis
USD 155.494/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern FD600R06ME3S2BOSA1

FD600R06ME3S2BOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FD600R06ME3S2BOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 600A
Leistung max 2250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 600A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 400nA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 60nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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