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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FD16001200R17HP4B2BOSA2
FD16001200R17HP4B2BOSA2

FD16001200R17HP4B2BOSA2 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FD16001200R17HP4B2BOSA2
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1700V 1600A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FD16001200R17HP4B2BOSA2 PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
112 pcs
Referenzpreis
USD 1462.49/pcs
Unser Preis
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FD16001200R17HP4B2BOSA2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FD16001200R17HP4B2BOSA2
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Dual Brake Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Leistung max 10500W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 1600A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 130nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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