F4200R17N3E4BPSA1

F4200R17N3E4BPSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
F4200R17N3E4BPSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
LOW POWER ECONO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
767 pcs
Referenzpreis
USD 214.32/pcs
Unser Preis
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F4200R17N3E4BPSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer F4200R17N3E4BPSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 200A
Leistung max 20mW
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 18nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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