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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › F3L200R12W2H3B11BPSA1
F3L200R12W2H3B11BPSA1

F3L200R12W2H3B11BPSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
F3L200R12W2H3B11BPSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 650V 200A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
F3L200R12W2H3B11BPSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1842 pcs
Referenzpreis
USD 89.352/pcs
Unser Preis
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F3L200R12W2H3B11BPSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer F3L200R12W2H3B11BPSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Leistung max 600W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 11.5nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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