DF900R12IP4DBOSA1

DF900R12IP4DBOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
DF900R12IP4DBOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
PRIMPACK IGBT MOD VCE 1200V 900A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
352 pcs
Referenzpreis
USD 463.92333/pcs
Unser Preis
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DF900R12IP4DBOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DF900R12IP4DBOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 900A
Leistung max 5100W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 900A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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