DDB2U30N08VRBOMA1

DDB2U30N08VRBOMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
DDB2U30N08VRBOMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE 800V 50A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
10477 pcs
Referenzpreis
USD 15.711/pcs
Unser Preis
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DDB2U30N08VRBOMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DDB2U30N08VRBOMA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau 3 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 25A
Leistung max 83.5W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 20A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 880pF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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