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DDB2U30N08VRBOMA1

DDB2U30N08VRBOMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer: DDB2U30N08VRBOMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Kurze Beschreibung: IGBT MODULE 800V 50A
Bleifreier Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht: DDB2U30N08VRBOMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen: -
Kategorie: Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit: 1 Day
Datumscode: New
Bestandsmenge: 10477 pcs
Referenzpreis: USD 15.711/pcs
Unser Preis: Senden Sie per E-Mail: [email protected]

DDB2U30N08VRBOMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer	DDB2U30N08VRBOMA1
Teilstatus	Not For New Designs
IGBT-Typ	-
Aufbau	3 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	25A
Leistung max	83.5W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.55V @ 15V, 20A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce	880pF @ 25V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Yes
Betriebstemperatur	-40°C ~ 125°C
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	Module
Lieferantengerätepaket	Module
Gewicht	-
Ursprungsland	-

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