DD1200S12H4HOSA1

DD1200S12H4HOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
DD1200S12H4HOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOD DIODE 1200A IHMB130-2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
252 pcs
Referenzpreis
USD 649.44/pcs
Unser Preis
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DD1200S12H4HOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DD1200S12H4HOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau 2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1200A
Leistung max 1200000W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 1200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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