BSZ110N06NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	BSZ110N06NS3GATMA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 23µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.1W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TSDSON-8
Paket / Fall	8-PowerVDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BSZ110N06NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8	Einzelheiten
BSZ110N06NS3G	INFINEON	BSZ110N06NS3G INFINEON QFN New Original Stocks	Einzelheiten
BSZ110N06NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8	Einzelheiten
BSZ110N08NS5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON	Einzelheiten