BSO203SPHXUMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	BSO203SPHXUMA1
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3750pF @ 15V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.6W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	P-DSO-8
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BSO200N03	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO	Einzelheiten
BSO200N03S	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO	Einzelheiten
BSO200N3S	INFINEON	BSO200N3S INFINEON SOP8 New Original Stocks	Einzelheiten
BSO200P03S	I	BSO200P03S I SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
BSO200P03SHXUMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO	Einzelheiten
BSO200P03SNTMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO	Einzelheiten
BSO201SP	I	BSO201SP I SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
BSO201SP H	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC	Einzelheiten
BSO201SPHXUMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC	Einzelheiten
BSO201SPNTMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC	Einzelheiten