BSO119N03S

BSO119N03S - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSO119N03S
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4133 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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BSO119N03S detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSO119N03S
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 25µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.56W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11.9 mOhm @ 11A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-DSO-8
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht -
Ursprungsland -

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