BSC084P03NS3EGATMA1 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
BSC084P03NS3EGATMA1 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
P-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
14.9A (Ta), 78.6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 110µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
57.7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
4240pF @ 15V |
| Vgs (Max) |
±25V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
8.4 mOhm @ 50A, 10V |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
PG-TDSON-8 |
| Paket / Fall |
8-PowerTDFN |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR BSC084P03NS3EGATMA1
